中微公司氮化镓外延设备技术进展

　　参加了此次研讨会，并受邀发表主题演讲，与产业链上下游、设备及关键零部件研究、生产单位专家代表共同深入研讨，为行业发展群策群力。

　　报告阐述了氮化镓材料的性能及其应用，介绍了中微公司MOCVD设备技术的发展进程及主要产品的性能，并对Micro-LED用MOCVD新技术，12硅基氮化镓MOCVD技术及氮化镓基红光LED技术国内外研发进展及未来发展方向做了分享。

　　中微公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平主持了26日下午的会议报告及第一环节专题讨论。专题讨论围绕生长腔的温度如何控制、如何实现高效率和高良率切割、如何实现高精度抛光、如何做好缺陷检测等内容展开，众多知名企业专家代表共同参与，就行业热点话题展开了深入探讨。

　　本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，与第七届中国先进材料产业博览会同期(8月25日-27日)举行，并在博览会上特别安排了先进半导体材料与装备展览，众多高端装备材料和先进材料相关企业参展交流。

　　第三代半导体在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有特别突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，是支撑下一代移动通信新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和关键电子元器件。

　　中微半导体设备(上海)股份有限公司(证券简称：中微公司，证券代码：688012)致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。

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　　2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用

　　器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, po

　　。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。

　　相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用

　　（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，

　　为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立

　　更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：

　　，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和

　　，用于交流电或400V 直流电的输入应用。 无论是“全桥”还是“半桥”电路设计，纳

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